催化事件：工信部官方文件披露国产ArF光刻机进入推广应用阶段。
9月9日，工信部公布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，其中集成电路生产装备章节列示了氟化氪(KrF)光刻机、氟化氩(ArF)光刻机两项，意味着国产KrF、ArF光刻机已完成首台生产、进入推广应用阶段。
一、国产ArF光刻机对应制程≤65nm，干式DUV光刻机
根据工信部文件所示的核心技术指标，该ArF光刻机分辨率≤65nm，即对应单次曝光关键尺寸≤65nm(通俗称即为制程≤65nm)，预计为数值孔径(NA)相对较低的干式ArF光刻机。
2018年3月上海微电子的干式ArF光刻机SSA600通过验收，SSA600最高可满足12寸线90nm光刻工艺需求，工信部列示的 ArF光刻机与SSA600均为干式+ArF光源，但制程更先进，预计因数值孔径有所增加、但仍有较大提升空间。
二、列示ArF光刻机套刻精度≤8nm，尚有提升空间
根据工信部文件所示的核心技术指标，该ArF光刻机套刻精度≤8nm，作为对标，当前ASML生产的干式ArF光刻机主力机型NXT:1470，其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。
套刻精度即多次光刻的图案层之间的对齐精度，多重曝光工艺对套刻精度的要求更高，预计工信部列示的ArF光刻机尚需提升套刻精度才能满足多重曝光工艺。
三、国产光刻机及光刻工艺技术持续进展，信息部分公开提振市场信心
此前国产光刻机相关公开信息较少，保密程度高，而2024年以来，3月22日华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利，6月20日工信部发布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》公示稿(后于9月9日正式发布)，9月10日上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利，国内光刻设备及曝光工艺公开信息增多，有助于提振市场信心。
四、指导目录亦列示涂胶显影、CMP、量测等半导体设备
工信部在推广应用指导目录中，列举了涂胶显影机(工艺节点等于或优于28nm)、化学机械抛光机(工艺节点等于或优于14nm)、光学线宽量测装备等，其余亦包含湿法清洗、氧化炉、离子注入等环节装备，当前国产半导体设备多领域处于研发突破关键阶段，短板领域未来有望加速补齐，助力先进制程产线国产化率进一步提升。
五、投资分析意见：
官方披露核心设备进展提振市场信心，国产光刻机相关产业链受益，国内晶圆厂扩产自主可控可期，国产半导体设备整体受益。
国产光刻机相关标的:茂莱光学，波长光电，炬光科技，福晶科技;
半导体设备公司:中微不司(刻蚀、薄膜沉积等)，北方华创(薄膜沉积、刻蚀、清洗设备、氧化炉等)，中科飞测、精测电子(前道检测量测设备)，拓荆科技(薄膜沉积、键合设备等)，芯源微(涂胶显影、清洗设备等)。
栗智（执业编号：A0380623120005）简介：
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